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            ASML 首席技術官:明年將向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機,光刻技術或走到盡頭

               時間:2022-09-28 10:05:32 來源:IT之家發表評論無障礙通道

              9 月 28 日消息,ASML 首席技術官 Martin van den Brink 日前接受 Bits & Chips 的采訪時表示,目前公司正有序推行其路線圖,在 EUV 之后是 High-NA EUV 技術。ASML 正在準備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機,大概會在明年某個時間點完成,Martin 相信這個目標會實現,盡管供應鏈問題仍然可能會擾亂這一計劃。

              IT之家了解到,NA (NumericalAperture) 被稱作數值孔徑,是光學鏡頭的一個重要指標,一般光刻機設備都會明確標注該指標的數值。在光源波長不變的情況下,NA 的大小直接決定和光刻機的實際分辨率,也等于決定了光刻機能夠達到的最高的工藝節點。High-NA EUV 是下一代光刻設備,與現有的 EUV 光刻設備相比,可以雕刻出更精細的電路,其被認為是一個改變游戲規則的設備,將決定 3 納米以下代工市場技術競賽的贏家。

              Van den Brink 說,到目前為止,開發高 High-NA 技術的最大挑戰是為 EUV 光學器件構建計量工具。High-NA 鏡的尺寸是其前身的兩倍,需要在 20 皮米范圍內保持平整。這需要在一個大到“可以容納半個公司”的真空容器中進行驗證,該容器位于蔡司公司。

              High-NA EUV 光刻機會比現有的 EUV 光刻機更為耗電,從 1.5 兆瓦增加到 2 兆瓦。主要原因是因為光源,High-NA 使用了相同的光源需要額外 0.5 兆瓦,ASML 還使用水冷銅線為其供電。

              至于 High-NA EUV 技術之后的技術方案,Martin 表示,ASML 正在研究降低波長,但他個人不認為 Hyper-NA 是可行的,他們正在對其進行研究,但這并不意味著它將投入生產。Martin 懷疑 High-NA 將是最后一個 NA,當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭。

              High-NA EUV 系統將提供 0.55 數值孔徑,與此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 系統相比,精度會有所提高,可以實現更高分辨率的圖案化,以實現更小的晶體管特征。到了 Hyper-NA 系統,會高于 0.7,甚至達到 0.75,理論上是可以做到的。從技術方面來講,也可以做到。但如果 hyper-NA 的成本像 High-NA 那樣快速增長,那么它在經濟上將幾乎是不可行的。因此,Hyper-NA 研究項目的主要目標是提出聰明的解決方案,使該技術在成本和可制造性方面保持可控。

             
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